路透報導,大陸已在深圳實驗室打造出極紫外光(EUV)曝光機的原型機,這項被形容為「中國曼哈頓計畫」的秘密工程案,由艾司摩爾(ASML)前工程師團隊打造,對ASML的EUV進行逆向工程,該機器已成功產生極紫外光,但尚未生產出可用的晶片,大陸的目標是在2028年以原型機生產晶片,但項目相關人士表示,有可能到2030年才能量產。
ASML執行長Christophe Fouquet今年4月時曾表示,中國大陸要開發這類技術還需要「很多很多年」。但這台原型機的存在,意味著中國大陸實現半導體自主的時間可能比外界預期的提早數年。
儘管如此,中國大陸仍面臨重大的技術挑戰,尤其是在複製由西方供應商生產的高精度光學系統方面。
兩位知情人士稱,二手市場上能找到來自ASML舊機型的零組件,對中國大陸打造出一台國產原型機有莫大助益。
報導指出,此計畫隸屬國家半導體戰略。根據官方媒體報導,這一戰略由習近平的親信、中共中央政治局常委兼中央科技委員會主任丁薛祥負責統籌。
知情人士並將這形容為中國版的「曼哈頓計畫」,也就是美國二戰時研發原子彈的行動。北京的目標自然是讓中國大陸最終能夠使用完全本土製造的設備,生產先進晶片,將美國100%踢出供應鏈。
ASML在聲明中回應:「可以理解其他企業希望複製我們的技術,但要辦到這一點絕非易事。」從2018 年起,美國開始向荷蘭施壓,阻止ASML向中國出售EUV系統。到了2022年,拜登政府更擴大限制,實施廣泛的出口管制,旨在切斷中國獲取先進半導體技術的管道。ASML對路透表示,迄今從未將任何EUV系統出售給中國大陸客戶。
今年9月時,英國金融時報也曾引述知情人士說法報導,中芯國際正在測試大陸首款國產先進晶片生產設備,目標是用於製造AI晶片。
當時消息人士稱,中芯國際正在測試由上海新創公司宇量昇生產的28奈米DUV曝光機,這款機器用的是浸沒式技術,類似ASML採用的技術,將利用該款DUV曝光機用於「多重圖案技術」生產7奈米晶片。不過,目前尚不清楚該曝光機是否何時能用於晶片的量產。
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